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1.NAND颗粒：浮栅极物理结构单元，通过电压驱动电子，由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒，擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题，其次是由于特殊的结构，擦除时延较大，在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[详细]
NAND FLASH的结构原理图见图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变FloatingGate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们[详细]
Nand Flash因为其电气特性，读和写是按页来读取的，而擦除是按照块来擦除的，了解这些，我们就比较容易去理解Nand Flash的擦写次数与使用寿命。通常，一个对NAND的写操作包括如下步骤:1) 从NAND中读取一个页面，内容放入NANDflash的寄存器中。2) 更新寄存器中的内容3) 找一个空白页4)[详细]
虽然2019年Q3中美贸易争端有所缓解（将重启谈判），2019年智能手机及服务器的需求量继续低于原先预期。此外，上半年CPU缺货对笔记本电脑出货仍略有影响，因此，eMMC/UFS、SSD等产品第三季旺季出货量恐不如预期，合约价跌势难止。2019年上半年，OEM着重各类产品去化库存，备货动能疲弱，NAND Flash合约均价已连续[详细]
内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本、安防等所有电子产品来说，存储器就类似于钢铁之于现代工业，是名副其实的电子行业“原材料”。存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。[详细]
NAND Flash解决方案架构主流分为：raw NAND、ClearNAND和eMMC三种，各有不同的架构、界面和终端应用。生产厂商将会视不同客户和不同产品应用的需求，而灵活运用raw NAND、ClearNAND和eMMC 这3种NAND Flash解决方案。raw NANDraw NAND即是一般的NAND Flash内存芯片，所有的ECC除错机制(Error Correcting Code)、[详细]
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